10.- Transistore bipolarra dinamikoan: teoria aurrekusi
BJT baten seinale txikiko zirkuitua kargaren bidezko kontrol eredutik lor / gara daiteke.
Bai, horrela oinarrizko pi eredua lortzen da eta hori biribildu / osotzeko junturetako kapazitateak, ihes korronteen erresistentziak, Early efektua eta abar gehi daitezke.
Ez, zeren eta kargaren bidezko kontrol eredua bakarrik kommutazioa analizatzeko erabiltzen baita
Bai, baina bakarrik maiztasun altuetarako
BJT baten kommutazioa(k), etenduratik asetasunera,
ia berehalakoa da, zeren eta basea laburra baita eta kargaren bidezko kontrol ereduak basean metaturiko kargarekin lan egiten baitu
denbora jakin bat behar du, hustutako eskualdeak estutzeko eta zonalde neutroetan behar diren kargak metatzeko
edonola ere, iC = beta•iB ekuazioaz analiza daiteke, zeren eta horixe baita BJT transistoreen oinarrizko ekuazioa
Zer eragin du BJT baten polarizazio puntuak bere seinale txikiko portaeran?
Ez du inolako eraginik, zeren eta seinale txikian bakarrik osagai alternoez arduratzen baikara
Zirkuitu baliokideko osagaien balioak behartzen ditu baina ez du eragini kez irabazian ezta tarte dinamikoan ere
Guztiz baldintzatzen du bere portaera zeren eta zirkuitu baliokideko balioak (eta beraz irabazia eta sarrerako eta irteerako inpedantziak) eta tarte dinamikoa behartzen baititu.
H (parametro hibridoen) matrizeari buruzko adierazpen hauetako bakar bat da zuzena. Zein?
Teknika / kontzeptua edozein zirkuitu linealerako da aplikarria, eta horixe da aktiboan eta seinale txikian lan egiten duten transistoreen kasua
H matrizea maiztasunaren eta polarizazioaren independentea da
H matrizea egituraren independentea da (berdin dio igorle, kolektore edo base komunekoa bada)
Erregimen dinamikoan, seinale txikian, oraindik ere ic=beta·ib betetzen da, maiztasunarekiko independentziarekin
Hauetako zein izan liteke eramaileen soberakinaren profila?
Bai, betiere
Inoiz ez, zeren eta kolektoreko korrontea alternokoa baino askoz handiagoa baita
Bakarrik maiztasun nahiko baxuekin lan egiten badugu (eta bestelako efektuak –Early, ihes korronteak…- aintzat hartzen ez baditugu)
Seinale txikian, eskualde neutroetan metaturiko kargari dagokion kapazitatea, polarizazioko kolektoreko korrontearekin batera igotzen al da?
Bai, zeren eta haien eta baseko kargaren arteko erlazioa proportzionala baita
Ez, zeren eta kapazitatea bakarrik igarotze denboraren araberakoa baita, et ahori basearen zabaleraren eta urrienen barreiapeneko koefizientearen funtzioa baita.
Ez, zeren eta bakarrik erdibizitza baliokidearen funtzioa baita
Aurreko laginarekin jarraitzu (ikus 5. galdera) zenbat da laginean guztira gertatzen den birkonbinaketa?
Ezin dugu jakin.
G·w·A, non A zeharkako azalera den
U = m’/tm –ren bolumeneko integrala.
Zirkuitu anplifikadore baten irteerako inpedantzia(k)
Kargak ikusten duen zirkuituaren inpedantzia da eta, beraz, zirkuitu anplifikadorearen irteerako terminalen arteko Thevenin inpedantzia da (karga bera alde batera utzita)
Irteerako tentsioaren eta korrontearen arteko erlazioa da (vo/io)
Irteerako tentsioaren eta sarrerako korrontearen arteko erlazioa adierazten digu
BJT bat darabilen zirkuitu anplifikadore bateko distortsioa, noiz gertatzen da (ggb)?
Transistoreak aktiboan lan egiteari uzten dionean
Karga zuzen dinamikoa asetasunean (vCE ~ 0) edo etenduran (iC ~ 0) sartzen denean
Aurreko bi erantzunak zuzenak dira
Zirkuitu anplifikadore baten tarte dinamikoa optimizatzeko:
(8. galderatik datorren ariketarekin)
Eta hutsuneen barreiapeneko fluxu dentsitatea?
Polarizazio puntua karga zuzen estatikoaren erdian kokatuko dugu
Polarizazio puntua karga zuzen dinamikoaren erdian kokatuko dugu, eta horretarko IC / VCE = |mRCD| behartuko dugu
Sarrerako eta irteerako inpedantziak, hurrenez hurren altua eta baxua izatea lortzen saiatuko gara
Igorle komuneko anplifikadoreetan
… nahiko tentsio eta korronte irabazi altuak lor daitezke …
... normalean sarrerako inpedantzia oso baxua izaten da