6.- Transistore bipolarra estatikoan: teoria aurreikusi

BJTei buruzko adierazpen hauetako bat faltsua da. Zein?
1. BJT transistoreei "bipolar" deitzen zaie zeren eta haien funtzionamenduan bi eramaile motek –elektroiek eta hutsuneek- hartzen baitute parte.
2. Simetrikoak izan balitezke ere, igorleko eta kolektoreko dopaketak ezberdinak direnez bi terminal horiek ezin dira trukatu.
3. Bi diodo bata bestearen aurka konektatuz lortzen dira, besterik gabe, nahiz eta normalean kristal berean egituratu
BJTa aktiboan polarizatzen dugunean:
1. Igorleko juntura zuzenean eta kolektorekoa alderantziz polarizatzen dira
2. Bi junturak zuzenean polarizatzen dira
3. Bi junturak alderantziz polarizatzen dira
Igorle-baseko juntura zuzenean eta kolektore-basekoa alderantziz polarizatuz gero,

(Gutxienez erantzun bat aukeratu)
1. Eramaileak batez ere igorletik injektatu / igortzen dira…
2. .. eta kolektorean jasotzen dira
3. .. baldin eta transistorea egokiro diseinatu bada
Aktiboan dauden BJTei buruzko adierazpen hauetako bat faltsua da. Zein?
1. Kolektoreko korrontea, gutxi gorabehera, baseko korrontearekiko proportzionala da
2. Kolektoreko korrontea, gutxi gorabehera, esponentzialki hazten da igorle-base tentsioarekin
3. Esponentzialki hazten da kolektore-base tentsioarekin
a eta b parametroak:
1. Transistorearen "efizientziaren" adierazleak dira
2. Txikiagoak dira baseko zabalera txikiagoa bada
3. Handiagoak dira baseko dopaketak gora egiten badu
aT baseko garraio-faktoreak honako hau adierazten digu:
1. igorletik injektatutako eramaileetako zenbat jasotzen diren kolektorean
2. zenbat den igorletik basera injekta daitekeen korronte maximoa
3. zenbat den baseak garraia dezakeen gehieneko korrontea
Aktiboan, zerekin dago lotuta BJTen baseko korrontea?
1. Bakarrik basetik igorlera injektatutako eramaileekin
2. Bakarrik basean birkonbinatzen diren eramaileekin
3. Batez ere basetik igorlera injektatutako eramaileekin eta basean birkonbinatzen direnekin
Transistore baten dimentsioak eta dopaketak, zer asmoz aukeratzen ditugu?
1. Gama injekzioaren efizientzia maximizatzeko asmoz
2. Alfa_T garraio-faktorea maximizatzeko asmoz
3. Alfa eta beta maximizatzeko asmoz, gama eta alfa_T maximizatuz
Ebers-Moll ereduari buruzko adierazpen hauetako bat faltsua da. Zein?
1. Transistorea hiru parametro independenteren bidez karakterizatzen da (laugarren bat aurreko hiruren funtzioa da)
2. Ereduak aktiboan, etenduran eta asetasunean balio du, baina modu inbertsoan korronteen zeinuak aldatu behar dira
3. Badaude ereduaren ekuazioen bertsio ezberdinak (injekzioarena, IES eta ICS-rekin; IE0 eta IC0-rekin; garraioren bertsioa, eta abar) dispositibo bera deskribatzeko
BJTaren ezaugarri kurbak idealki horizontalak al dira?
1. Eskualde aktiboan bai, orduan IC = beta·IB + (beta+1)·IC0 baita
2. Inoiz ez, zeren eta baseko birkonbinaketa ez baita arbuiagarria
3. Betiere, zeren eta kolektoreko etab baseko korronteak beti proportzionalak baitira eta ez baitira tentsioen araberakoak
BJTen ezaugarri kurba errealek badute malda txiki bat (Early efektua) …
1. ... base-kolektore tentsioak baseko zabalera modulatzen duelako
2. I… kolektoreko dopaketa baxua denez eskualde hori oso erresistiboa delako
3. … IC0 kolektoreko tentsioaren funtzioa delako
Transistore baten b:
1. Konstantea da (eta berdin 100)
2. Bada kolektoreko korrontearen, tenperaturaren eta abarren araberakoa
3. Erabilitako egituraren araberakoa da
BJT transistoreen Q (IC,VCE) polarizazioaren egonkortasunari buruz:
1. Kolektoreko korrontea beti linealki (proportzionalki) aldatuko da betarekin
2. Q kontrolatu behar da transistoreak asetasunetik hurbil lan egin dezan
3. Badaude egonkortasuna errazten duten polarizazio zirkuituak, IC ren tenperaturarekiko edo betarekiko mendekotasunak minimizatzeko